Дискретные полупроводники · IGBT одиночные

Производитель	Fairchild Semiconductor
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	300V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.5V @ 15V, 10A
Мощность макcимальная	44.6W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	FGPF30N30TTU	Fairchild Semiconductor	IGBT PDP 300V 30A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 10A · Мощность макcимальная: 44.6W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)		Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов