Дискретные полупроводники · IGBT одиночные

Производитель	Fairchild Semiconductor
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	300V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.5V @ 15V, 20A
Мощность макcимальная	201W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-3P-3 (Straight Leads)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	FGA70N30TDTU	Fairchild Semiconductor	IGBT PDP 70A 300V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A · Мощность макcимальная: 201W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3 (Straight Leads)		Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов