Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

APT50GP60BG — IGBT 600V 100A 625W TO247

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	POWER MOS 7®
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 50A
Ток коллектора (макс)	100A
Мощность макcимальная	625W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247
Встречается под наим.	APT50GP60BG-ND, APT50GP60BGMI