Дискретные полупроводники · IGBT одиночные

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Серия	POWER MOS 7®
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 35A
Ток коллектора (макс)	64A
Мощность макcимальная	284W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	ISOTOP
Встречается под наим.	APT35GP120JDQ2-ND, APT35GP120JDQ2MI

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	APT35GP120J	Microsemi-PPG	IGBT 1200V 64A 284W SOT227 Серия: POWER MOS 7® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A · Ток коллектора (макс): 64A · Мощность макcимальная: 284W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов