Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

APT150GT120JR — IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	Thunderbolt IGBT®
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.7V @ 15V, 150A
Ток коллектора (макс)	170A
Мощность макcимальная	830W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	ISOTOP
Встречается под наим.	APT150GT120JRMI