Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

APT150GN120J — IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 150A
Ток коллектора (макс)	215A
Мощность макcимальная	625W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	ISOTOP
Встречается под наим.	APT150GN120J-ND, APT150GN120JMI