Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

APT13GP120KG — IGBT 1200V 41A 250W TO220

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	POWER MOS 7®
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 13A
Ток коллектора (макс)	41A
Мощность макcимальная	250Вт
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220