Дискретные полупроводники  ·  IGBT сборки

MUBW30-12A6 — MODULE IGBT CBI E1

Производитель	IXYS
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 15A
Ток коллектора (макс)	31A
Ток отсечки коллетора (vfrc)	1mA
Емкость @ Vce	1nF @ 25V
Мощность макcимальная	104W
Вход	Three Phase Bridge Rectifier
Конфигурация	Three Phase Inverter with Brake
NTC термистор	Да
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	E1