Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  IGBT сборки
 

MIAA15WD600TMH — MODULE IGBT CBI

ПроизводительIXYS
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 15A
Ток коллектора (макс)23A
Ток отсечки коллетора (vfrc)600µA
Емкость @ Vce0.7nF @ 25V
Мощность макcимальная80Вт
ВходSingle Phase Bridge Rectifier
КонфигурацияThree Phase Inverter
NTC термисторДа
Тип монтажаChassis Mount
КорпусMiniPack2
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MIAA15WE600TMHIXYSMODULE IGBT CBI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A  ·  Ток коллектора (макс): 23A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA  ·  Емкость @ Vce: 0.7nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Вход: Single Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: MiniPack2
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MIAA15WD600TMH» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте