Дискретные полупроводники  ·  IGBT сборки

CPV362M4K — IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2

Производитель	Vishay/Semiconductors
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.93V @ 15V, 3A
Ток коллектора (макс)	5.7A
Ток отсечки коллетора (vfrc)	250µA
Емкость @ Vce	0.45nF @ 30V
Мощность макcимальная	23Вт
Вход	Стандарт
Конфигурация	Three Phase Inverter
NTC термистор	Нет
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	19-SIP (13 Leads), IMS-2
Встречается под наим.	*CPV362M4K