Характеристики | Производитель: Rohm Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Сопротивление базы (Ом): 10K • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA • Ток коллектора (макс): 100mA • Модуляция частот: 250MHz • Мощность макcимальная: 150mW • Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) • Mounting Type: Surface Mount • Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 • Встречается под наим.: UMH4NTNDKR |