Характеристики

IRF7342QPBF — MOSFET P-CH DUAL 55V 8-SOIC

Производитель: International Rectifier  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: HEXFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V  •  Напряжение (Vdss): 55V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V  •  Ток @ 25°C: 3.4A  •  Емкость @ Vds: 690pF @ 25V  •  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  •  Особенности: Logic Level Gate  •  Мощность макcимальная: 2Вт  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Архив документации

Поставщики «IRF7342QPBF»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
IRF7342QPBF (Оригинальный и наличный и новый)IR5246
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
IRF7342QPBF (yпаковка: SOP-8; год: 22+)IR55000
Acme Chip Technology Co.,Limited, shenzhen
(86) 18902315121, sale@acme-chip.com
IRF7342QPBF (Compliant Surface Mount 3.9878 mm 1.4986 mm 4.9784 mm 22 ns 10 ns SO)International Rectifier0.6$11493
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IRF7342QPBFот 7 дней
IRF7342QPBF_10от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IRF7342QPBFот 7 дней
IRF7342QPBF_10от 7 дней