Характеристики | Производитель: Diodes Inc • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Сопротивление базы (Ом): 220 • Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA • Ток коллектора (макс): 100mA • Модуляция частот: 200MHz • Мощность макcимальная: 200mW • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 • Встречается под наим.: DDTC122LUDITR |