Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

CQY36N — DIODE IR EMITTER GAAS 1.8MM

Производитель: Vishay/Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Ток - DC: 100mA  •  Интенсивность облучения (Ie) Min @ If: 0.7mW/sr @ 50mA  •  Длина волны: 950nm  •  Напряжение - (Vf): 1.3V  •  Угол обзора: 110°  •  Ориентация: Top View  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: Radial, 1.8мм (T-3/4)  •  Встречается под наим.: 751-1026
Архив документации
  • CQY36N - GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T­ѕ) Package
  • doc на сайте vishay.com

  Sure Technology  


Наименования
Версия для печати
Страница с результатами, оптимизированная для печати.
Бросить клич!
Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

Поставщики «CQY36N»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global LimitedCQY36N
Оригинальный и наличный и новый
Vishay 7500
Shenzhen Augswan Electronics Co., LTD.Свежие данные!CQY36N
EMITTER IR 950NM 100MA RADIAL
Vishay Semiconductor Opto Division0.22$6455
SHENZHEN SHENGYU ELECTRONICS TECHNOLOGY LIMITEDСвежие данные!CQY36N
EMITTER IR 950NM 100MA RADIAL
Vishay Semiconductor Opto Division0.22$6562
Acme Chip Technology Co.,LimitedСвежие данные!CQY36N
EMITTER IR 950NM 100MA RADIAL
Vishay Semiconductor Opto Division0.22$7749
CHIP DIGGER LIMITEDCQY36N
EMITTER IR 950NM 100MA RADIAL
Vishay Semiconductor Opto Division0.22$5133


«CQY36N» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2159 отечественных и 761 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать