Подробная информация
0
0
0
Поставщики
Каталог
Документация
Аналоги
Объявления
еще
Войти
Регистрация
еще
Новости индустрии
Контакты
Точное совпадение
Только в наличии
Только c ценами
Классический дизайн
Документация
Характеристики
BSO203PT
— MOSFET DUAL P-CH 20V 8.2A 8-SOIC
Дискретные полупроводники
»
MOSFET транзисторы (сборки)
Производитель: Infineon Technologies
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Серия: OptiMOS™
•
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 4.5V
•
Напряжение (Vdss): 20В
•
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48.6nC @ 4.5V
•
Ток @ 25°C: 8.2A
•
Емкость @ Vds: 2242pF @ 15V
•
Полярность: 2 P-Channel (Dual)
•
Особенности: Logic Level Gate
•
Мощность макcимальная: 2Вт
•
Тип монтажа: Поверхностный монтаж
•
Корпус: SO-8
•
Встречается под наим.: BSO203PXTINCT
Поставщики «BSO203PT»
Все
Отечественные
Зарубежные
Поставщик
Наименование
Производитель
Цена
Склад
ООО "Интегральные схемы"
BSO203PT
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
BSO203PT
от 7 дней
АО "Контест"
BSO203PT
MOSFET DUAL P-CH 20V 8.2A 8-SOIC
Подробнее
Infineon Technologies
Контактная информация
Компания
Офис
Телефоны
E-mail
Отзывы
АО "Контест"
Москва
(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-73
6
27
Скрыть
Воронеж
(473) 239-22-32
ООО "АСПЕКТ"
Санкт-Петербург
(812) 309-89-32
0
0
Скрыть
ООО "Интегральные схемы"
Санкт-Петербург
(812) 448-53-82
0
0
Скрыть
«BSO203PT» в
eFind
,
eInfo
,
Google
,
Яндекс
,
Datasheet Archive
Поставщиков: 2164 отечественных и 773 зарубежных
Помощь
Настройки дизайна
Скрытые поставщики
Реклама на сайте
Разместить прайс-лист
Контакты
Распечатать