BG 3123 E6327 | Электронный компонент

Производитель: Infineon Technologies • Вредные вещества:

RoHS

Без свинца • Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) • Частота: 800MHz • Усиление: 25dB • Номинальное напряжение: 8V • Номинал тока: 25mA, 20mA • Коэффициент шума: 1.8dB • Ток - тестовый: 14mA • Напряжение - тестовое: 4V • Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 • Встречается под наим.: SP000014846

Контактная информация

Компания	Офис	Телефоны	E-mail	Отзывы
Digi-ic_SMART PIONEER electronic	Hong Kong	(86) 13512338801		0 0	Скрыть
Digi-ic_SMART PIONEER electronic	SHENZHEN	(86) 0755-82535750		0 0	Скрыть
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED	Changsha	(731) 85241908, Факс: (731) 85241908		0 0	Скрыть
Icseek Global Limited	Шэньчжэнь	(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）		0 0	Скрыть
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.	Shenzhen	(86) 18819033453		0 0	Скрыть
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.	Hongkong	(852) 66497453		0 0	Скрыть
LIXINC ELECTRONICS LIMITED	shenzhen	(+86) 75583998536		0 0	Скрыть
XПро-актив				0 0	Скрыть
АО "Контест"				6 27	Скрыть
ИП Соловьев				0 4	Скрыть
ООО "АН-ЧИП"				0 0	Скрыть
ООО "АСПЕКТ"				0 0	Скрыть
ООО "Интегральные схемы"				0 0	Скрыть

Поставщиков: 2158 отечественных и 763 зарубежных

BG 3123 E6327 — MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
Дискретные полупроводники » Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Поставщики «BG 3123 E6327»

Контактная информация

BG 3123 E6327 — MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363Дискретные полупроводники » Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Поставщики «BG 3123 E6327»

Контактная информация

BG 3123 E6327 — MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
Дискретные полупроводники » Высокочастотные полевые канальные транзисторы