Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  •  Модуляция частот: 6GHz  •  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz  •  Мощность макcимальная: 350mW  •  Тип транзистора: NPN  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V  •  Ток коллектора (макс): 35mA  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  •  Встречается под наим.: BFR93AR T/R, BFR93AR T/R-ND