Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  •  Модуляция частот: 8GHz  •  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  •  Усиление: 18dB ~ 12dB  •  Мощность макcимальная: 250mW  •  Тип транзистора: NPN  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V  •  Ток коллектора (макс): 35mA  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23  •  Встречается под наим.: BFR 182 E6327-ND, BFR182E6327INTR, BFR182E6327XT, SP000011051