Характеристики | Производитель: Infineon Technologies • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В • Модуляция частот: 8GHz • Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz • Усиление: 22dB • Мощность макcимальная: 250mW • Тип транзистора: NPN • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V • Ток коллектора (макс): 35mA • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 • Встречается под наим.: BFP182WE6327INDKR |