BF 2030R E6814 | Электронный компонент

Производитель: Infineon Technologies • Вредные вещества:

RoHS

Без свинца • Тип транзистора: N-Channel • Частота: 800MHz • Усиление: 23dB • Номинальное напряжение: 8V • Номинал тока: 40mA • Коэффициент шума: 1.5dB • Ток - тестовый: 10mA • Напряжение - тестовое: 5V • Корпус: SOT-143R • Встречается под наим.: BF2030RE6814XT, SP000012220

Контактная информация

Компания	Офис	Телефоны	E-mail	Отзывы
Digi-ic_SMART PIONEER electronic	Hong Kong	(86) 13512338801		0 0	Скрыть
Digi-ic_SMART PIONEER electronic	SHENZHEN	(86) 0755-82535750		0 0	Скрыть
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited	Шэньчжэнь	(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815		0 0	Скрыть
Icseek Global Limited	Шэньчжэнь	(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）		0 0	Скрыть
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.	Shenzhen	(86) 18819033453		0 0	Скрыть
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.	Hongkong	(852) 66497453		0 0	Скрыть
АО "Контест"				6 27	Скрыть
ООО "АН-ЧИП"				0 0	Скрыть
ООО "АСПЕКТ"				0 0	Скрыть
ООО "Интегральные схемы"				0 0	Скрыть

Поставщиков: 2159 отечественных и 761 зарубежных

BF 2030R E6814 — MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R
Дискретные полупроводники » Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Поставщики «BF 2030R E6814»

Контактная информация

BF 2030R E6814 — MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143RДискретные полупроводники » Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Поставщики «BF 2030R E6814»

Контактная информация

BF 2030R E6814 — MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R
Дискретные полупроводники » Высокочастотные полевые канальные транзисторы