Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10µA, 5V  •  Мощность макcимальная: 250mW  •  Модуляция частот: 100MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  •  Встречается под наим.: BC849B /T3, BC849B /T3-ND