Производитель: Diodes Inc  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Обратите внимание: Encapsulate Change 15 may 2008  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V  •  Мощность макcимальная: 300mW  •  Модуляция частот: 300MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3