Производитель: Diodes Inc  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A  •  Ток коллектора (макс): 2A  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V  •  Мощность макcимальная: 1Вт  •  Модуляция частот: 120MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3  •  Встречается под наим.: 2DB1188QDICT