Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

SSR1N60BTM_F080 — MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 450mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 600V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 900mA  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 215pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 2.5W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Архив документации

  Sure Technology  


Производители
Города
Версия для печати
Страница с результатами, оптимизированная для печати.
Бросить клич!
Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

Поставщики «SSR1N60BTMF080»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdSSR1N60BTM_F080
Подробнее
onsemi 35000
АО "Контест"SSR1N60BTM_F080
MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK Подробнее
Fairchild Semiconductor


Контактная информация

КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdSHENZHEN(86) 152200899930  0 Скрыть
АО "Контест"Москва(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-736  27 Скрыть
Воронеж(473) 239-22-32
«SSR1N60BTMF080» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2163 отечественных и 774 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать