Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V  •  Напряжение (Vdss): 30В  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V  •  Ток @ 25°C: 3.4A  •  Емкость @ Vds: 250pF @ 20V  •  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  •  Особенности: Logic Level Gate  •  Мощность макcимальная: 2Вт  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)  •  Встречается под наим.: PHN210 /T3, PHN210 /T3-ND