Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 15A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23.5nC @ 5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1972pF @ 10V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 62.5W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: LFPak-4  •  Встречается под наим.: 568-2179-6