Производитель: Infineon Technologies  •  Серия: SIPMOS®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.1A, 10V  •  Напряжение (Vdss): 60V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  •  Ток @ 25°C: 3.1A  •  Емкость @ Vds: 340pF @ 25V  •  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  •  Особенности: Logic Level Gate  •  Мощность макcимальная: 2Вт  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SO-8  •  Встречается под наим.: BSO615NVINCT