Поставщик | Наименование | Производитель | Цена | Склад | |
Айтекс | C1812F105K1RACTU Конденсатор: керамический, MLCC, 1мкФ, 100ВDC, X7R, ±10%, SMD, 1812 Подробнее PDF | KEMET | 680 р. м. опт: 364.58 р. опт: 272.76 р. | 602, 6 недель | |
C1812F104K2RACTU Конденсатор: керамический, MLCC, 100нФ, 200ВDC, X7R, ±10%, SMD, 1812 Подробнее PDF | KEMET | 250 р. м. опт: 116.79 р. опт: 75.13 р. | 99, 6 недель | |
"Симметрон" | VS-12F10 Диод стандартный VS-12F10; Производитель: Vishay Подробнее | Vishay | | | |
RC2512F10K Чип резистор RC2512F10K; Типоразмер: 2512; Сопротивление: 10 кОм; Точность: F (±1%) Подробнее | Faithful Link | | | |
МирКомпонентов | VS-12F100 Диод выпрямительный общего применения 1000В 12А; мин. заказ: : 1 Подробнее PDF | VISHAY | 620.96 р. м. опт: 586.89 р. опт: 559.13 р. | 216 | |
DFE322512F-100M=P2 Чип индуктивности Подробнее | Murata | | 130 | |
C2012F105M500NT 1,0 uf Y5V 0805 50v 20% C2012F105M500NT чип-конденсатор Hottech Semiconductor Подробнее | HOTTECH | 0.91 р. | 80000 | |
C2012F105M250NT 1,0 uf Y5V 0805 25v 20% C2012F105M250NT чип-конденсатор Hottech Semiconductor Подробнее | HOTTECH | 0.91 р. | 26000 | |
12F100 Диоды с импортной маркировкой Подробнее | International Rectifier | 688.5 р. | 30 | |
ООО "РадиоЭлемент" | VS-12F10, диод 1000В 12А DO-203AA (DO-4) мин. заказ: : 2 Подробнее | Vishay | 1653.76 р. м. опт: 1592.5 р. опт: 1470 р. | 700, 1 неделя | |
VS-12F100, диод 1000В 12А DO-203AA (DO-4) мин. заказ: : 5 Подробнее | Vishay | 408.88 р. м. опт: 393.73 р. опт: 363.44 р. | 50, 1 неделя | |
ООО "Интегральные схемы" | 12F10M | | | от 7 дней | |
12F10B BN R R | | | от 7 дней | |
12F10B BN R R | | | от 7 дней | |
12F10B | | | от 7 дней | |
12F1099 | | | от 7 дней | |
12F1053-21 | | | от 7 дней | |
12F1042 | | | от 7 дней | |
12F1035-871 | | | от 7 дней | |
12F1013-1 | | | от 7 дней | |
12F100R | | | от 7 дней | |
12F100MIX | | | от 7 дней | |
12F100M | | | от 7 дней | |
12F100B BN R Y | | | от 7 дней | |
12F100B BN R Y | | | от 7 дней | |
12F100B | | | от 7 дней | |
12F1006-9 | | | от 7 дней | |
12F100 | | | от 7 дней | |
12F10/DSI | | | от 7 дней | |
12F10 | | | от 7 дней | |
ООО "АСПЕКТ" | 12F10M | | | от 7 дней | |
12F10B BN R R | | | от 7 дней | |
12F10B BN R R | | | от 7 дней | |
12F10B | | | от 7 дней | |
12F1099 | | | от 7 дней | |
12F1053-21 | | | от 7 дней | |
12F1042 | | | от 7 дней | |
12F1035-871 | | | от 7 дней | |
12F1013-1 | | | от 7 дней | |
12F100R | | | от 7 дней | |
12F100MIX | | | от 7 дней | |
12F100M | | | от 7 дней | |
12F100B BN R Y | | | от 7 дней | |
12F100B BN R Y | | | от 7 дней | |
12F100B | | | от 7 дней | |
12F1006-9 | | | от 7 дней | |
12F100 | | | от 7 дней | |
12F10/DSI | | | от 7 дней | |
12F10 | | | от 7 дней | |
АО "Триема" | ЧИП конденсатор 0805, 1mF Y5V 50V C2012F105M500NT HOTTECH цена за 1шт при количестве 2000шт ЧИП конденсатор 0805, 1mF Y5V 50V C2012F105M500NT HOTTECH цена за 1шт при количестве 2000шт. Товар в наличии. Доставка по РФ 3-7 дней. Оплата по счету или Сбербанк Онлайн. | | 5 р. | 4000 | |
VS-12F10 VS-12F10. Товар в наличии. Доставка по РФ 3-7 дней. Оплата по счету или Сбербанк Онлайн. | | 1529 р. | 700 | |
1,0 uf Y5V 0805 25v 20% C2012F105M250NT чип-конденсатор Hottech Semiconductor 1,0 uf Y5V 0805 25v 20% C2012F105M250NT чип-конденсатор Hottech Semiconductor. Товар в наличии. Доставка по РФ 3-7 дней. Оплата по счету или Сбербанк Онлайн. | | 787 р. | 26 | |
1,0 uf Y5V 0805 50v 20% C2012F105M500NT чип-конденсатор Hottech Semiconductor 1,0 uf Y5V 0805 50v 20% C2012F105M500NT чип-конденсатор Hottech Semiconductor. Товар в наличии. Доставка по РФ 3-7 дней. Оплата по счету или Сбербанк Онлайн. | | 787 р. | 80 | |
12F100 12F100. Товар в наличии. Доставка по РФ 3-7 дней. Оплата по счету или Сбербанк Онлайн. | | 689 р. | 50 | |
ООО "ЭНЕРГОФЛОТ" | 12F100 | | 573.75 р. | 50 | |
1,0 uf Y5V 0805 50v 20% C2012F105M500NT чип-конденсатор Hottech Semiconductor | HOTTECH | 797.16 р. | 80 | |
1,0 uf Y5V 0805 25v 20% C2012F105M250NT чип-конденсатор Hottech Semiconductor | HOTTECH | 796.32 р. | 26 | |
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯ | 12F100B BN R Y DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA | Vishay Semiconductor Opto Division | | | |
12F10B BN R R DIODE ARRAY GP 100V 12A DO203AA | Vishay Semiconductor Opto Division | | | |
VS-12F10 DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA | Vishay Semiconductor Diodes Division | 6304.51 р. м. опт: 5668.53 р. опт: 4645.43 р. | 152 | |
VS-12F100 DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA | Vishay Semiconductor Diodes Division | 9995.96 р. м. опт: 9028.17 р. опт: 7479.69 р. | 53 | |
ЗелЧип ООО | VS-12F10 Подробнее | | 35908.57 р. | склад 2-3 дня | |
Дельта Электроника | 1,0 uf Y5V 0805 50v 20% C2012F105M500NT чип-конденсатор Hottech Semiconductor | | 797.44 р. | 6-8 недель | |
1,0 uf Y5V 0805 25v 20% C2012F105M250NT чип-конденсатор Hottech Semiconductor | | 577.48 р. | 6-8 недель | |
RC2012F102CS | | 4.43 р. | 6-8 недель | |
1,0 uf Y5V 0805 50v 20% C2012F105M500NT чип-конденсатор Hottech Semiconductor | | 999.6 р. | 6-8 недель | |
JYDP2012F102Y | | 2.68 р. | 6-8 недель | |
RC2012F103CS | | | 4900 | |
VS-12F10 | | | 6-8 недель | |
MEM2012F10R0T001, 10 МГц, 0805 Фильтр ЭМП | | 24.7 р. | 6-8 недель | |
MEM2012F10R0T001, 10 МГц, 0805 Фильтр ЭМП | | | 6-8 недель | |
A12F100M | | 569.5 р. | 6-8 недель | |
0805-Y5V-50V- 0.10mF (100nF) 20% C2012F104M500NT | | 2.96 р. | 6-8 недель | |
12F100 | | 487.68 р. | 6-8 недель | |
VS-12F100 | | | 6-8 недель | |
VS-12F10 | | | 6-8 недель | |
0805-Y5V-50V- 1.0mF 20% C2012F105M500NT | | 5.44 р. | 6-8 недель | |
12F100PBF (2008г) 1000V 12A DO-203AA | | 47.7 р. | 6-8 недель | |
12F100 | | 582.94 р. | 15 | |
VS-12F100,диод 1000В 12А DO-203AA (DO-4) | | 481.75 р. | 6-8 недель | |
VS-12F10,диод 100В 12А DO-203AA (DO-4) | | 471.5 р. | 6-8 недель | |
Acme Chip Technology Co.,Limited | 12F10EGYDSNW2NL CONN RJ45 JACK W/MAG | Yuan Dean | | 8955 | |
12F10B BN R R DIODE MODULE GP 100V 12A DO203AA | Vishay Semiconductor Opto Division | | 10959 | |
12F100 DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 | Solid State Inc. | 5.49$ | 5634 | |
12F100 | Vishay Intertech | 4.16$ | 6736 | |
12F10 DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 | Solid State Inc. | 1.65$ | 5760 | |
12F10 | TLC Electronic | 1.58$ | 7118 | |
SHENZHEN SHENGYU ELECTRONICS TECHNOLOGY LIMITED | 12F10EGYDSNW2NL CONN RJ45 JACK W/MAG | Yuan Dean | | 8880 | |
12F10B BN R R DIODE MODULE GP 100V 12A DO203AA | Vishay Semiconductor Opto Division | | 3994 | |
12F100 DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 | Solid State Inc. | 4.75$ | 6182 | |
12F10 DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 | Solid State Inc. | 1.7$ | 7301 | |
Shenzhen Augswan Electronics Co., LTD. | 12F10EGYDSNW2NL CONN RJ45 JACK W/MAG | Yuan Dean | | 20042 | |
12F10B BN R R DIODE MODULE GP 100V 12A DO203AA | Vishay Semiconductor Opto Division | | 5678 | |
12F100 DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 | Solid State Inc. | 5.05$ | 5694 | |
12F10 DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 | Solid State Inc. | 1.41$ | 6829 | |
12F10 | TLC Electronic | 1.3$ | 6771 | |
РИВ Электроникс | VS-12F10 Диод Минимум 1шт. Подробнее | Vishay | 1412 р. м. опт: 1306 р. | 700 | |
АО "Контест" | 12F100PBF Подробнее | VISHAY | | | |
12F100B BN R Y Подробнее | VISHAY | | | |
12F10 Подробнее | Vishay/Semiconductors | | | |
12F100 Подробнее | INTERNATIONAL RECTIFIER | 936.36 р. | 26 | |
Jinghua Technology (HK) Co., Ltd | DFE252012F-100M=P2 мин. заказ: : 5 | MURATA | | 3525 | |
DFE322512F-100M=P2 yпаковка: Inductor Power Shielded Wirewo; мин. заказ: : 5 | MURATA | | 144000 | |
DFE322512F-100M=P2 мин. заказ: : 100 | MURATA | | 2686 | |
DFE322512F-100M=P2 yпаковка: Inductor Power Shielded Wirewo; мин. заказ: : 5 | MURATA | | 372000 | |
CRGCQ2512F100R мин. заказ: : 15000; год: 1912 | TE Connectivity | | 20275 | |
CRGCQ2512F100K мин. заказ: : 24000 | TE CONNECTIVITY | | 13898 | |
CRGP2512F100K мин. заказ: : 1000 | TE CONNECTIVITY | | 5237 | |
CRGP2512F100R мин. заказ: : 5000 | TE CONNECTIVITY | | 16202 | |
CRGCQ2512F10K мин. заказ: : 5000 | TE CONNECTIVITY | | 19533 | |
CRGP2512F10K мин. заказ: : 5000 | TE CONNECTIVITY | | 7535 | |
CRGP2512F10R мин. заказ: : 4000 | TE CONNECTIVITY | | 6685 | |
ООО "Промэлектро-1" | GQ12F-10/N металлические кнопки типа PBS28B-2-D12 (12мм, плоский, OFF-(ON), без фиксации, болтовой з 5-7 дней 225; год: по запросу | | опт: 144.7 р. | 335 | |
Стандарт СИЗ | MEM2012F10R0T001, 10 МГц, 0805, Фильтр ЭМП Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров. | AVX | | Да | |
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd. | MGFL2012F100MT-LF/MLZ2012N100L 22+; год: 1745 | MICROGATE | 805$ | | |
MGFL2012F100MT-LF 22+; год: 37000 | MICROGATE | | | |
CELMK212F106ZG-T 22+; год: 3454 | TAIYO | | | |
CEUMK212F105ZG-T 22+; год: 3655 | TAIYO | | | |
MEM2012F10R0T001 22+; год: 3977 | TDK | | | |
CTMC1812F-101K 22+; год: 1500 | CENTRAL | | | |
LMK212F106ZG-T 22+; год: 14609 | TAIYO | | | |
UMK212F105ZG-T 22+; год: 7000 | TAIYO | | | |
NRC12F1000TRF 22+; год: 1500 | NICC | | | |
FCI2012F-100K 22+; год: 6930 | TAI-TECH | | | |
LL2012-F10NK 22+; год: 1148 | TOKO | | | |
|
HK YST ELECTRONIC LIMITED | UMK212F105ZG-T yпаковка: SMD; год: 21+ | TAIYO | | 28808 | |
ООО "ОРИОНЭК" | 0805-Y5V-50V- 0.10uF (100nF) 20% C2012F104M500NT | HOTTECH | 1 р. | | |
0805-Y5V-50V- 1.0uF 20% C2012F105M500NT | HOTTECH | 5 р. | | |
RC2012-F-10,7 кОм 1% (chip 0805) TOBE | | | 4350 | |
RC2012-F-100 Ом 1% (chip 0805) | | | 530 | |
JYDP2012F102Y | JY | 2 р. | | |
ООО "Триггер" | RC2012-F-10,7 кОм 1% (chip 0805) TOBE | | 0.5 р. | 4250 | |
RC2012-F-10 кОм 1% (chip 0805) | | 0.5 р. | 4910 | |
RC2012-F-100 Ом 1% (chip 0805) | | 0.5 р. | 2040 | |
RC2012-F-10 Ом 1% (chip 0805) | | 0.5 р. | 4980 | |
Shenzhen Sanfeng Technology Co., Ltd | DFE252012F-100M=P2 | MURATA | | 3525 | |
DFE322512F-100M=P2 | MURATA | | 372000 | |
DFE322512F-100M=P2 | MURATA | | 2686 | |
DFE322512F-100M=P2 | MURATA | | 144000 | |
CRGCQ2512F100R | TE Connectivity | | 20275 | |
CRGCQ2512F100K | TE CONNECTIVITY | | 13898 | |
CRGP2512F100K | TE CONNECTIVITY | | 5237 | |
CRGP2512F100R | TE CONNECTIVITY | | 16202 | |
CRGCQ2512F10K | TE CONNECTIVITY | | 19533 | |
CRGP2512F10K | TE CONNECTIVITY | | 7535 | |
CRGP2512F10R | TE CONNECTIVITY | | 6685 | |
FY Advanced Tech | MC-10112F1-001-LU2-A | RENESAS | | 470 | |
Shenzhen Qualcomm Shengye Technology Co. LTD | VS-12F100 yпаковка: DO-203AA (DO-4); год: 21+ | VISHAY | | 3400 | |
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED | C1812F105K5RAC7800 год: 2014+ | KEMET | | 802 | |
MGFL2012F100MT-LF год: 2014 | MICROGATE | | 3600 | |
CELMK212F106ZG-T год: 05+PBF | TOIYO | | 5000 | |
MEM2012F10R0T001 год: 1440+ | TDK | | 2997 | |
UMK212F105ZG-T год: 22+ | | | 1000 | |
UMK212F105ZG-T год: 14+ | TAIYO | | 3000 | |
LMK212F106ZG-T год: 10+ | TAIYO | | 4536 | |
CTMC1812F-101K год: 15+ | CENTRAL | | 500 | |
NRC12F1000TRF год: 1408+ | NICC | | 500 | |
Kyent Industrial Co., Limited | TXS1.12F10 год: 22+ | SIEMENS | | 10 | |
VS-12F100 год: 22+ | VISHAY | | 5000 | |
ООО "Ди Ту" | DFE252012F-100M=P2 2 недели | MUR | | | |
DFE322512F-100M=P2 2 недели | MUR | | | |
Digi-ic_SMART PIONEER electronic | 12F10B BN R R DIODE ARRAY GP 100V 12A DO203AA Подробнее | Vishay Semiconductor Opto Division | | 124233 | |
12F100B BN R Y DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA Подробнее | Vishay Semiconductor Opto Division | | 90376 | |
S1C17M12F101100-250 IC MCU 16BIT 16KB FLASH 48TQFP12 Подробнее | Epson Electronics America Inc-Semiconductor Div | | 12912 | |
S1C17M12F101100 IC MCU 16BIT 16KB FLASH 48TQFP Подробнее | Epson Electronics America Inc-Semiconductor Div | | 5177 | |
XMC0812F1-03G RF DIR COUPLER 8GHZ-12GHZ SMD Подробнее | Anaren | | 47209 | |
70D1N112F103W POT SPEED POSITION Подробнее | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | | 14109 | |
RE115L12F103 SFERNICE TRANSDUCERS Подробнее | Vishay Sfernice | | 13095 | |
VS-12F100M DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA Подробнее | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | | 88017 | |
VS-12F100 DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA Подробнее | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | | 108470 | |
12F100 12 AMP SILCON RECTIFIER DO4 KK Подробнее | Solid State Inc. | | 77159 | |
12F10 12 AMP SILCON RECTIFIER DO4 KK Подробнее | Solid State Inc. | | 95325 | |
ООО "ЭСК" | VS-12F100 | | 525 р. м. опт: 427.5 р. | 60 | |
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited | S1C17M12F101100-250 yпаковка: -; год: 22+ | Epson | | 55000 | |
DFE322512F-100M=P2 yпаковка: 1210 (3225 Metric); год: 22+ | Murata Electronics | | 55000 | |
DFE252012F-100M=P2 yпаковка: 1008 (2520 Metric); год: 22+ | Murata Electronics | | 55000 | |
S1C17M12F101100 yпаковка: TQFP48(7x7); год: 22+ | Epson | | 45000 | |
XMC0812F1-03G yпаковка: 4-SMD,No Lead Exposed Pad; год: 22+ | Anaren | | 55000 | |
RE115L12F103 yпаковка: -; год: 22+ | Vishay | | 55000 | |
VS-12F100M yпаковка: DO-203AA/DO-4; год: 22+ | Vishay | | 55000 | |
VS-12F100 yпаковка: DO-203AA/DO-4; год: 22+ | Vishay | | 55000 | |
VS-12F10 yпаковка: DO-203AA/DO-4; год: 22+ | Vishay | | 55000 | |
"Б-Союз" | RC2012F100CS-0805-10 ОМ-1% ЧИП | | м. опт: 3.75 р. | 18 | |
12F100 год: Internatio | | м. опт: 596.7 р. | | |
Бычков Андрей | 2012 F 100nF-(CL21F104ZBNC) Керамический ЧИП конденсатор | | опт: 55 р. | 3000 | |
2012 F 10nF-(CL21F103ZBNC) Керамический ЧИП конденсатор | | опт: 55 р. | 3000 | |
Icseek Global Limited | S1C17M12F101100-250 Оригинальный и наличный и новый | EPSON | | 4286 | |
S1C17M12F101100 Оригинальный и наличный и новый | EPSON | | 4286 | |
RCS2012F1074CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
RC2012F1002CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
RC2012F1004CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
RCS2012F103CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG | | 7200 | |
MC10112F1-001 Оригинальный и наличный и новый | RENESAS | | 7770 | |
RC2012F1001CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
RC2012F1003CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
RC2012F10R0CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
RC2012F1000CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
RC2012F106CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
RC2012F101CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
MCH312F105ZP Оригинальный и наличный и новый | ROHM | | 6000 | |
RC2012F103CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
RC2012F105CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
LPC1112F/102 Оригинальный и наличный и новый | NXP | | 883 | |
RC2012F100CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
RC2012F102CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
RC2012F104CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
YUHUA TECHNOLOGY | SS-12F102-G030 China HongKong - 3 days; yпаковка: plug-in | G-Switch | | 201 | |
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED | ERJ-U12F1004U Thick Film Resistors - SMD 1812 1% 1.0Mohm Anti-Sulfur AEC-Q200 Подробнее | Panasonic Electronic Components | 0.573$ | 846 | |
NRC12F1000TRF NULL Подробнее | NIC Components | 0.0239$ | 588913 | |
ERJ-U12F1001U Thick Film Resistors - SMD 1812 1% 1.0Kohm Anti-Sulfur AEC-Q200 Подробнее | Panasonic Electronic Components | 0.542$ | 4787 | |
NRC12F1004TRF Res Thick Film 1206 1M Ohm 1% 0.25W(1/4W) 100ppm/C Molded SMD Paper T/R Подробнее | NIC Components | 0.0257$ | 712957 | |
ERJ-S12F1003U RES SMD 100K OHM 1% 3/4W 1812 Подробнее | Panasonic Electronic Components | 0.5301$ | 3588 | |
NRC12F1001TRF Res Thick Film 1206 1K Ohm 1% 0.25W(1/4W) 100ppm/C Molded SMD Paper T/R Подробнее | NIC Components | 0.0376$ | 288622 | |
ERJ-U12F1000U RES 100 OHM 1% 3/4W 1812 SMD Подробнее | Panasonic Electronic Components | 0.5305$ | 10880 | |
CRGCQ2512F10R CRGCQ 2512 10R 1% Подробнее | TE Connectivity Passive Product | 0.3772$ | 18558 | |
NRC12F10R0TRF NULL Подробнее | NIC Components | 0.0354$ | 248925 | |
CRGCQ2512F10K TE CONNECTIVITY - CRGCQ2512F10K - RES, 10K, 1%, 2512, THICK FILM Подробнее | TE Connectivity Passive Product | 0.3744$ | 35283 | |
NRC12F1003TRF NULL Подробнее | NIC Components | 0.0361$ | 492731 | |
RC2012F100CS Res Thick Film 0805 10 Ohm 1% 0.125W(1/8W) 100ppm/C Molded SMD T/R Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.3271$ | 65362 | |
MEM2012F101R FILTER LC(PI) 100MHZ SMD Подробнее | TDK | 0.3249$ | 3395 | |
RC2012F101CS Res Thick Film 0805 100 Ohm 1% 0.125W(1/8W) 100ppm/C Molded SMD T/R Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.2503$ | 1335424 | |
CRGP2512F10K Res Thick Film 2512 10K Ohm 1% 2W 100ppm/C Pad SMD T/R Подробнее | TE Connectivity Passive Product | 0.5002$ | 26368 | |
CRGP2512F10R RES 10 OHM 1% 2W 2512 Подробнее | TE Connectivity Passive Product | 0.4893$ | 738 | |
MEM2012F10R0 MEM Series 0805 10 MHz 12 V 200 mA SMT Single Line 3-Terminal Filter Подробнее | TDK Corporation | 0.3826$ | 73843 | |
CRGH2512F10R Thick Film Resistors - SMD CRGH2512 1% 10R 2W Подробнее | TE Connectivity Passive Product | 0.5792$ | 2082 | |
RC2012F104CS Res Thick Film 0805 100K Ohm 1% 0.125W(1/8W) 100ppm/C Molded SMD T/R Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.2325$ | 20685 | |
VS-12F100 VISHAY VS-12F100 Diode Module, 1 kV, 12 A, 1.26 V, VS-12 Series Подробнее | Vishay Semiconductor Diodes Division | 3.1276$ | 5331 | |
Shenzhen Dali Electronics Co., Ltd | RC2012F103CS yпаковка: o riginal new; год: 99+ | SAMSUNG | | 10000 | |
E KO ELECTRONICS LIMITED | EFR32FG28B312F1024IM68 Tape and Reel; мин. заказ: : 1; год: 22+ | original | | 302 | |
1812F106Z500CT Tape and Reel; мин. заказ: : 1; год: 22+ | original | | 317 | |
RC2012F1000CS Tape and Reel; мин. заказ: : 1; год: 22+ | original | | 580 | |
9LG1212F1002 Tape and Reel; мин. заказ: : 1; год: 22+ | original | | 163 | |
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd | RC2012F10R7CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F1050CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F1053CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F1070CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F1022CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F1021CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F1072CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F1073CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F10R5CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F1024CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F10R2CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F1051CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F1054CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F104CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F105CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F102CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F100CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F106CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F101CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RC2012F103CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
|
Виктор Костин | MEM2012F10R0T001 (TDK - 3-Terminal Filters Signal Line, SMD, Cutoff Frequency=10MHz); год: 2021г | | м. опт: 28.8 р. | 4000 | |
ООО "СкопЭксим" | RC2012F103CS | | опт: 0.16$ | 7 | |
RC2012F102CS | | опт: 0.07$ | 53 | |
RC2012F104CS | | опт: 0.04$ | 50 | |
Yee Hing Technology Co., Limit | 9WG1212F101-E | 3420 | | | |
9LG1212F1001 | 3640 | | | |
9G1212F1011 | 3500 | | | |
9GL1212F101 | 3800 | | | |
9G1212F101 | 2280 | | | |
HK CARLACCI TRADING CO.,LIMITED | MEM2012F10R0T001 yпаковка: SMD | TDK | | 6126 | |
Detalikon | MEM2012F10R0T001 (2021г.) | | опт: 49 р. | 4000 | |
Siemens TXS.12F10 год: 7 | | | | |
ООО "Энергия деталей" | LL2012-F10NK 0805TR срок поставки 15-27 календарных дней; год: 99+ | TOKO | | 4100 | |
Magnus Electronics Limited | MEM2012F10R0T001 SMD | Tdk | | | |