Войти Регистрация |
|
|
||||
Макро Групп → SiC MOSFET 1200 В 40 мОм 3 поколения от WolfspeedКомпания Wolfspeed (Cree) выпустила SiC-МОП транзистор 1200 В, 40 мОм, 66 А в корпусе TO-247-4 поколения Gen 3 C3M0040120K.Технические характеристики C3M0040120K: - напряжение пробоя: 1200 В - ток (при 25°C): 66 A - Rds(On): 40 мОм - тип корпуса: TO-247-4 - суммарный заряд затвора: 99 нКл - максимальная температура перехода: 175 °C - заряд обратного восстановления: 850 нКл - выходная емкость: 103 пФ - время обратного восстановления: 17 нс Применение транзистора: - возобновляемые источники энергии - зарядные устройства электромобилей - источники бесперебойного питания (ИБП) - управление двигателем - импульсные источники питания - хранение энергии Для более детального знакомства с характеристиками скачайте техническое описание C3M0040120K. Также, доступен SiC MOSFET 1200 В 40 мОм Gen 3 в корпусе TO247-3 C3M0040120D. Скачать каталог дискретных SiC приборов и модулей Wolfspeed Источник: Макро Групп • Подробнее: https://www.macrogroup.ru/news...-wolfspeed
|
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Регистрация • Реклама на сайте |