Новости микроэлектроники |
| Войти Регистрация |
|
|
|
|
||||
РАДИО-ПРАЙС → Импульсные диоды. Стабилитроны отечественные. Область применения, параметры и характеристики Важнейшим параметром импульсных диодов, определяющим возможность использования диода при коротких импульсах, является время восстановления обратного сопротивления. Для его уменьшения диоды изготавливают так, чтобы емкость перехода была малой и рекомбинация носителей происходила как можно быстрее. Так в мезадиодах уменьшен объем базовой области. За счет этого сокращается накопление и рассасывание носителей в базе.Стабилитроны — это кремниевые плоскостные диоды, предназначенные для стабилизации уровня постоянного напряжения в схеме при изменении в некоторых пределах тока через диод. Если обратное напряжение превышает значение Uобр. пр, происходит лавинный пробой p-n-перехода, при котором обратный ток резко возрастает при почти неизменном обратном напряжении. Такой участок характеристики (участок аб) используют стабилитроны, нормальным включением которых в цепь источника постоянного напряжения является обратное. Если обратный ток через стабилитрон не превышает некоторого значения Iст. макс, то состояние электрического пробоя не приводит к порче диода и может воспроизводиться в течение десятков и сотен тысяч часов. В качестве исходного материала при изготовлении стабилитронов используют кремний, поскольку обратные токи кремниевых р-n-переходов невелики. К основным параметрам стабилитронов относятся: напряжение стабилизации UCT— напряжение на стабилитроне при указанном номинальном токе стабилизации Iст.ном. Уровень напряжения стабилизации определяется величиною пробивного напряжения Uo6p.np, зависящего, в свою очередь, от ширины p-n-перехода, а следовательно, степени легирования кремния примесью. Для получения низковольтных стабилитронов используется сильно легированный кремний .Поэтому у стабилитронов с напряжением стабилизации. При лавинном пробое носители преобразуют энергию достаточную для ударной ионизации. При тоннельных происходит электрический пробой электронов, проникают в pn- переход под действием поля. Варикапом называется специально сконструированный диод, применяемый в качестве конденсатора переменной емкости. В варикапах используется биполярная емкость, отличающаяся малым температурным коэффициентом, малой зависимостью от частоты. В рабочем режиме прикладывается запирающее напряжение. Емкость меняется при изменении обратного напряжения. Изменяя с помощью R обратное напряжение можно изменять резонансную частоту. Добавочный резистор с большим сопротивлением включен для того, чтобы добротность контура не снижалась заметно от шунтирующего влияния потенциометра R. Без разделительного конденсатора варикап был бы замкнут накоротко катушкой для постоянного тока. Туннельные диоды Под уровнем Ферми понимается такой энергетический уровень, вероятность заполнения которого электроном равна 0,5. Полупроводники с высокой степенью лигирования называются вырожденными и используются для производства туннельных диодов. Характерной особенностью вырожденных полупроводников является расположение уровня Ферми, зависящего от концентрации примеси, не в запрещенной зоне, а в зоне проводимости для полупроводника п-типа и в валентной зоне для полупроводника р-типа. Поскольку в состоянии динамического равновесия уровень Ферми в обоих полупроводниках, образующих р-n переход, должен сравняться, то это означает, что потолок валентной зоны полупроводника р-типа получается выше дна зоны проводимости полупроводника п-типа, т.е. происходит перекрытие зон. Т.к. ширина обедненного слоя обратно пропорциональна концентрации примеси, то при высокой концентрации примеси толщина перехода мала. Такой низкий и узкий потенциальный барьер может быть преодолен электроном , имеющим энергию, меньшую высоты барьера. Возникает туннельный эффект, основанный на волновом представлении движения электрона, который как бы туннелирует через барьер. При подаче прямого напряжения уровень Ферми смещается на такую же величину, что вызывает уменьшение потенциального барьера. В диоде без внешнего напряжения существует туннелирование электронов из n-области в р-область и обратно. Встречные потоки равны и суммарный ток равен нулю. При небольшом прямом напряжении происходит уменьшение высоты барьера и смещение энергетической диаграммы п-типа относительно энергетической диаграммы р-области. Свободные энергетические уровни (занятые дырками) р-области, расположенные непосредственно под уровнем Ферми, оказываются на одной высоте по энергетической диаграмме с энергетическими уровнями n-области (занятыми электронами). Поэтому будет преимущественное туннелирование электронов из п-типа в р-тип. https://stabilitrony.ru/news/ Новости https://stabilitrony.ru/catalog/ Магазин стабилитронов в Москве, в Митино https://stabilitrony.ru/diody Купить диоды https://stabilitrony.ru/stabilitrony Купить стабилитроны https://stabilitrony.ru/tranzistory Купить транзисторы Источник: Магазин стабилитронов, диодов, транзисторов, тиристоров - Стабилитроны.ру • Подробнее: https://stabilitrony.ru/news/s...-parametry
|
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Регистрация • Реклама на сайте |