Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  •  Модуляция частот: 9GHz  •  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz  •  Усиление: 12dB ~ 13dB  •  Мощность макcимальная: 500мВт  •  Тип транзистора: NPN  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V  •  Ток коллектора (макс): 120mA  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  •  Compression Point (P1dB): 21dBm  •  Встречается под наим.: 568-1649-2, BFR540 T/R