Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  •  Модуляция частот: 6GHz  •  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  •  Усиление: 14.5dB ~ 9.5dB  •  Мощность макcимальная: 300mW  •  Тип транзистора: NPN  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V  •  Ток коллектора (макс): 90mA  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23  •  Встречается под наим.: BF770AE6327XT, SP000010965