Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A  •  Ток коллектора (макс): 1A  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V  •  Мощность макcимальная: 625mW  •  Модуляция частот: 140MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA  •  Встречается под наим.: BCP69 T/R, BCP69 T/R-ND