Характеристики

MTP12P10G — MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB

Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 100V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 920pF @ 25V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 75W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-220-3 (Straight Leads)  •  Встречается под наим.: MTP12P10GOS
Архив документации

Поставщики «MTP12P10G»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global LimitedMTP12P10G (Оригинальный и наличный и новый)ON–4600
LIXINC ELECTRONICS LIMITEDMTP12P10GON Semiconductor–12011
Acme Chip Technology Co.,LimitedMTP12P10G (MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB)onsemi–14593
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdMTP12P10G (Подробнее)onsemi–35000
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!MTP12P10G (микросхема интегральная электронная MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)ON Semiconductor–38491
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!MTP12P10G (yпаковка: TO-220; год: 22+)ON–55000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!MTP12P10G (MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB Подробнее)onsemi–159299
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.MTP12P10G (22+; год: 1070)ON2203$–
АО "Контест"MTP12P10G (MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB Подробнее)ON Semiconductor––
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯMTP12P10G (MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB)ON Semiconductor––
ООО "АСПЕКТ"MTP12P10G––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"MTP12P10G-ONS-*––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"MTP12P10G––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"MTP12P10G-ONS-*––от 7 дней