Характеристики | Производитель: Vishay/Siliconix • Серия: HEXFET® • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 17A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @ 25V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 68W • Mounting Type: Through Hole • Package / Case: I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) |
Архив документации | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | АО "Контест", Москва (495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-73, zakaz@kontest.ru | | IRFZ34EL (MOSFET N-CH 60V 28A TO-262 Подробнее) | Vishay/Siliconix | – | – | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | IRFZ34EL | – | – | от 7 дней | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | IRFZ34EL | – | – | от 7 дней |
|