Характеристики | Производитель: Fairchild Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: QFET™ • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 42.5A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 85A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4120pF @ 25V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 3.75W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Архив документации | |
Поставщики «FQB85N06TM_AM002» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN (86) 15220089993, sales@geefook.com | | FQB85N06TM_AM002 (Подробнее) | onsemi | – | 35000 | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | | FQB85N06TM_AM002 (MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK Подробнее) | onsemi | – | 159938 | Acme Chip Technology Co.,Limited, shenzhen (86) 18902315121, sale@acme-chip.com | | FQB85N06TM_AM002 (MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK) | onsemi | – | 4477 | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | FQB85N06TM_AM002 | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | FQB85N06TM_AM002 | – | – | от 7 дней |
|