Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  •  Модуляция частот: 9GHz  •  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.7dB @ 900MHz  •  Мощность макcимальная: 150mW  •  Тип транзистора: NPN  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V  •  Ток коллектора (макс): 18mA  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: EMT3 (SOT-416, SC-75-3)  •  Compression Point (P1dB): 4dBm  •  Встречается под наим.: BFR505T T/R, BFR505T T/R-ND