Характеристики

APTM120DDA57T3G — MOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3

Производитель: Microsemi-PPG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V  •  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 187nC @ 10V  •  Ток @ 25°C: 17A  •  Емкость @ Vds: 5155pF @ 25V  •  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  •  Особенности: Стандарт  •  Мощность макcимальная: 390W  •  Тип монтажа: Chassis Mount  •  Корпус: SP3
Архив документации

Поставщики «APTM120DDA57T3G»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
APTM120DDA57T3G (Подробнее)Microsemi35000
Digi-ic_SMART PIONEER electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
APTM120DDA57T3G (MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 Подробнее)Microsemi Corporation170950
АО "Контест", Москва
(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-73, zakaz@kontest.ru
APTM120DDA57T3G (MOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3 Подробнее)Microsemi Power Products Group
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯ, Санкт-Петербург
(812) 409-49-13, sales@gsupply.ru
APTM120DDA57T3G (MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3)Microsemi Corporation
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
APTM120DDA57T3Gот 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
APTM120DDA57T3Gот 7 дней