Характеристики

APTM120A80FT1G — MOSFET MODULE PHASE LEG SP1

Производитель: Microsemi-PPG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 12A, 10V  •  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V  •  Ток @ 25°C: 14A  •  Емкость @ Vds: 6696pF @ 25V  •  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  •  Особенности: Стандарт  •  Мощность макcимальная: 357W  •  Тип монтажа: Chassis Mount  •  Корпус: SP1 Module
Архив документации

Поставщики «APTM120A80FT1G»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
APTM120A80FT1G (Подробнее)Microsemi–35000
АО "Контест", Москва
(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-73, zakaz@kontest.ru
APTM120A80FT1G (MOSFET MODULE PHASE LEG SP1 Подробнее)Microsemi Power Products Group––
Shenzhen Augswan Electronics Co., LTD., shenzhen
(86) 17727878850, contact@augswan.com
APTM120A80FT1G (MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1)Microsemi Corporation–2571
SHENZHEN SHENGYU ELECTRONICS TECHNOLOGY LIMITED, shenzhen
(86) 18038052216, cary@shengyuic.com
APTM120A80FT1G (MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1)Microsemi Corporation–3514
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯ, Санкт-Петербург
(812) 409-49-13, sales@gsupply.ru
APTM120A80FT1G (MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1)Microsemi Corporation––
Acme Chip Technology Co.,Limited, shenzhen
(86) 18902315121, sale@acme-chip.com
APTM120A80FT1G (MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1)Microsemi Corporation–4922
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
APTM120A80FT1G––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
APTM120A80FT1G––от 7 дней
CHIP DIGGER LIMITED, shenzhen
(86) 13422897696, info@chipdigger.com
APTM120A80FT1G (MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1)Microsemi Corporation–3043