Характеристики

APTM10HM09FT3G — MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3

Производитель: Microsemi-PPG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V  •  Напряжение (Vdss): 100V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V  •  Ток @ 25°C: 139A  •  Емкость @ Vds: 9875pF @ 25V  •  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  •  Особенности: Стандарт  •  Мощность макcимальная: 390W  •  Тип монтажа: Chassis Mount  •  Корпус: SP3
Архив документации

Поставщики «APTM10HM09FT3G»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
APTM10HM09FT3G (Подробнее)Microchip Technology151.7613$35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
APTM10HM09FT3G (Оригинальный и наличный и новый)MICROCHIP–9853
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
APTM10HM09FT3G (MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 Подробнее)Microchip Technology–168598
АО "Контест", Москва
(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-73, zakaz@kontest.ru
APTM10HM09FT3G (MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3 Подробнее)Microsemi Power Products Group––
Acme Chip Technology Co.,Limited, shenzhen
(86) 18902315121, sale@acme-chip.com
APTM10HM09FT3G (MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3)Microchip Technology140.48$4321
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
APTM10HM09FT3G––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
APTM10HM09FT3G––от 7 дней