Характеристики

APTM10DHM09TG — MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP4

Производитель: Microsemi-PPG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V  •  Напряжение (Vdss): 100V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V  •  Ток @ 25°C: 139A  •  Емкость @ Vds: 9875pF @ 25V  •  Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel)  •  Особенности: Стандарт  •  Мощность макcимальная: 390W  •  Тип монтажа: Chassis Mount  •  Корпус: SP4 Module
Архив документации

Поставщики «APTM10DHM09TG»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
APTM10DHM09TG (Подробнее)Microsemi35000
Digi-ic_SMART PIONEER electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
APTM10DHM09TG (MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4 Подробнее)Microsemi Corporation168913
АО "Контест", Москва
(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-73, zakaz@kontest.ru
APTM10DHM09TG (MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP4 Подробнее)Microsemi Power Products Group
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯ, Санкт-Петербург
(812) 409-49-13, sales@gsupply.ru
APTM10DHM09TG (MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4)Microsemi Corporation
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
APTM10DHM09TGот 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
APTM10DHM09TGот 7 дней