| Характеристики |  Производитель: Toshiba • Вредные вещества:  RoHS  Без свинца • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 4A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 800V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2160pF @ 25V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 85W • Mounting Type: Through Hole • Package / Case: 2-16F1B |
| Архив документации | |
| Наименование | Производитель | Цена | Склад | | ООО "АСПЕКТ" | 2SK2606(F) | – | – | от 7 дней | | ООО "Интегральные схемы" | 2SK2606(F) | – | – | от 7 дней | ООО "АН-ЧИП" | 2SK2606(F) (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PN 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21) | Toshiba | – | 34787 | | АО "Контест" | 2SK2606(F) (MOSFET N-CH 800V 8A 2-16F1B Подробнее) | Toshiba | – | – |
|