Производитель: ON Semiconductor  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 200mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100µA, 1V  •  Мощность макcимальная: 625mW  •  Модуляция частот: 300MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226