Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  •  Мощность макcимальная: 300mW  •  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)  •  Встречается под наим.: PEMD18 T/R, PEMD18 T/R-ND