Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 1K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 1K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  •  Мощность макcимальная: 250mW  •  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  •  Встречается под наим.: PDTA113ET T/R, PDTA113ET T/R-ND