Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500µA, 2V / 30 @ 10mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 255mV @ 100mA, 2A / 150mV @ 500µA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 3A, 100mA  •  Модуляция частот: 100MHz  •  Мощность макcимальная: 550mW, 200mW  •  Тип транзистора: 1 NPN Prebiased, 1 PNP  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)  •  Встречается под наим.: PBLS2002S T/R, PBLS2002S T/R-ND