Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 100mA, 2V / 30 @ 10mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A / 150mV @ 500µA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA, 1A  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  •  Модуляция частот: 185MHz  •  Мощность макcимальная: 400мВт  •  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Корпус: SC-74-6  •  Встречается под наим.: PBLS2002D T/R, PBLS2002D T/R-ND