Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Обратите внимание: Mold Compound Change 12 dec 2007  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  •  Модуляция частот: 900MHz  •  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz  •  Усиление: 15dB  •  Мощность макcимальная: 350mW  •  Тип транзистора: NPN  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V  •  Ток коллектора (макс): 50mA  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3