Производитель: Rohm Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 104  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Модуляция частот: 250MHz  •  Мощность макcимальная: 300mW  •  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Корпус: SC-74-6  •  Встречается под наим.: IMB10AT110DKR