Производитель: Rohm Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  •  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA  •  Ток коллектора (макс): 1A  •  Модуляция частот: 80MHz  •  Мощность макcимальная: 1.5Вт  •  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)  •  Встречается под наим.: DTDG23YPT100-ND, DTDG23YPT100TR